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案例分类
单壁碳纳米管制备设备:CVD 生长设备与等离子直流电弧炉,用于单壁碳纳米管的规模化生产。
用于单壁碳纳米管制备的立式 CVD 生长炉:碳化硅炉管最大 Φ200 mm,三段温区最高 1300 °C,可连续收料。
高频直流等离子电弧炉,加热温度 5000-7000 °C,浮动催化生长纳米碳材料,双层水冷真空腔室,全自动出料。
告诉我们物料、目标粒径和所需产能,亿富提供物料试磨、工艺规划与设备选型建议。
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