CVD · 单壁碳管纳米材料装备

单壁碳纳米管 CVD 生长​设备

用于单壁碳纳米管制备的立式 CVD 生长炉:碳化硅炉管最大 Φ200 mm,三段温区最高 1300 °C,可连续收料。

单壁碳纳米管 CVD 生长设备
工艺
CVD
最高温度
1300 °C
炉管
Φ170-200 mm
控温精度
±1 °C
收料
连续不停机
概述

这是一台专为单壁碳纳米管生长设计的化学气相沉积(CVD)设备。独特的混气设计和进气预热让反应条件保持一致,多级雾化超声进料让碳源均匀进入炉内,实现可控的定向生长。大口径碳化硅炉管提高单炉产能;立式炉体配合转轴收料机构,产品和无定形碳都能在不停炉的情况下连续收集。

技术参数

2 个型号。

数据取自现行产品目录,最终配置视物料与工艺而定。

型号单管多管
炉管材质碳化硅碳化硅
炉管尺寸 (mm)Φ170×1700Φ200×1700 ×N
加热功率 (kW)65按配置定制
加热温区三段温区,加热区总长 1700 mm三段温区,加热区总长 1700 mm
最高温度 (°C)13001300
加热方式电阻式加热电阻式加热
控温方式S 型铂铑热电偶S 型铂铑热电偶
控温精度 (°C)±1±1
外形尺寸 长×宽×高 (mm)3000×1800×4500按配置定制
设计

设计亮点。

  1. 01

    不锈钢防爆外壳,局部水冷保护,内部保温层加厚,能耗更低

  2. 02

    撬装式设计,安装快、操作便捷

  3. 03

    发热体采用品牌元件,使用寿命更长

  4. 04

    多级雾化超声进料,进料均匀,有效控制定向生长,提高批次一致性

  5. 05

    进气预热系统,气体进入反应炉前达到适宜温度,保障反应条件一致

  6. 06

    整机设有真空系统接口,可快速置换炉内氛围

  7. 07

    安装易燃易爆气体探测器,全天候监测周围环境

  8. 08

    超温报警、断偶保护、水压不足、气压过大、气体泄漏、漏电等多重安全联锁

物料

典型物料。

  • 单壁碳纳米管制备
  • 纳米电子器件
  • 复合材料增强
  • 储能材料
  • 催化剂及载体
  • 传感器与场发射器
  • 导电薄膜
  • 生物纳米材料
常见问题

常见问题

单壁碳纳米管 CVD 生长设备能处理哪些物料?

单壁碳纳米管 CVD 生长设备用于单壁碳纳米管制备、纳米电子器件、复合材料增强、储能材料、催化剂及载体、传感器与场发射器、导电薄膜、生物纳米材料。新物料是否适用,主要看固含量、黏度、硬度以及水性还是油性体系;把物料数据表和目标粒径发给我们,亿富工程师会评估。

单壁碳纳米管 CVD 生长设备该选哪个型号?

单壁碳纳米管 CVD 生长设备为单一配置,选型就是确认它是否匹配您的物料、目标粒径和小时产量;亿富会先在实验室或中试设备上验证,再确认生产机型。

单壁碳纳米管 CVD 生长设备有哪些主要设计特点?

单壁碳纳米管 CVD 生长设备的主要设计特点:不锈钢防爆外壳,局部水冷保护,内部保温层加厚,能耗更低;撬装式设计,安装快、操作便捷;发热体采用品牌元件,使用寿命更长;多级雾化超声进料,进料均匀,有效控制定向生长,提高批次一致性。

单壁碳纳米管 CVD 生长设备

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