CVD · 單壁碳管奈米材料裝備

單壁奈米碳管 CVD 生長​設備

用於單壁奈米碳管製備的立式 CVD 生長爐:碳化矽爐管最大 Φ200 mm,三段溫區最高 1300 °C,可連續收料。

單壁奈米碳管 CVD 生長設備
工藝
CVD
最高溫度
1300 °C
爐管
Φ170-200 mm
控溫精度
±1 °C
收料
連續不停機
概述

這是一台專為單壁奈米碳管生長設計的化學氣相沉積(CVD)設備。獨特的混氣設計和進氣預熱讓反應條件保持一致,多級霧化超聲進料讓碳源均勻進入爐內,實現可控的定向生長。大口徑碳化矽爐管提高單爐產能;立式爐體配合轉軸收料機構,產品和無定形碳都能在不停爐的情況下連續收集。

技術參數

2 個型號。

數據取自現行產品目錄,最終配置視物料與工藝而定。

型號單管多管
爐管材質碳化矽碳化矽
爐管尺寸 (mm)Φ170×1700Φ200×1700 ×N
加熱功率 (kW)65按配置客製
加熱溫區三段溫區,加熱區總長 1700 mm三段溫區,加熱區總長 1700 mm
最高溫度 (°C)13001300
加熱方式電阻式加熱電阻式加熱
控溫方式S 型鉑銠熱電偶S 型鉑銠熱電偶
控溫精度 (°C)±1±1
外形尺寸 長×寬×高 (mm)3000×1800×4500按配置客製
設計

設計亮點。

  1. 01

    不鏽鋼防爆外殼,局部水冷保護,內部保溫層加厚,能耗更低

  2. 02

    撬裝式設計,安裝快、操作便捷

  3. 03

    發熱體採用品牌元件,使用壽命更長

  4. 04

    多級霧化超聲進料,進料均勻,有效控制定向生長,提高批次一致性

  5. 05

    進氣預熱系統,氣體進入反應爐前達到適宜溫度,保障反應條件一致

  6. 06

    整機設有真空系統介面,可快速置換爐內氛圍

  7. 07

    安裝易燃易爆氣體偵測器,全天候監測周圍環境

  8. 08

    超溫警報、斷偶保護、水壓不足、氣壓過大、氣體洩漏、漏電等多重安全聯鎖

物料

典型物料。

  • 單壁奈米碳管製備
  • 奈米電子元件
  • 複合材料增強
  • 儲能材料
  • 觸媒及載體
  • 感測器與場發射器
  • 導電薄膜
  • 生物奈米材料
常見問題

常見問題

單壁奈米碳管 CVD 生長設備能處理哪些物料?

單壁奈米碳管 CVD 生長設備用於單壁奈米碳管製備、奈米電子元件、複合材料增強、儲能材料、觸媒及載體、感測器與場發射器、導電薄膜、生物奈米材料。新物料是否適用,主要看固含量、黏度、硬度以及水性還是油性體系;把物料數據表和目標粒徑發給我們,億富工程師會評估。

單壁奈米碳管 CVD 生長設備該選哪個型號?

單壁奈米碳管 CVD 生長設備為單一配置,選型就是確認它是否匹配您的物料、目標粒徑和小時產量;億富會先在實驗室或中試設備上驗證,再確認生產機型。

單壁奈米碳管 CVD 生長設備有哪些主要設計特點?

單壁奈米碳管 CVD 生長設備的主要設計特點:不鏽鋼防爆外殼,局部水冷保護,內部保溫層加厚,能耗更低;撬裝式設計,安裝快、操作便捷;發熱體採用品牌元件,使用壽命更長;多級霧化超聲進料,進料均勻,有效控制定向生長,提高批次一致性。

單壁奈米碳管 CVD 生長設備

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