- 工藝
- CVD
- 最高溫度
- 1300
°C - 爐管
- Φ170-200
mm - 控溫精度
- ±1
°C - 收料
- 連續不停機
概述
這是一台專為單壁奈米碳管生長設計的化學氣相沉積(CVD)設備。獨特的混氣設計和進氣預熱讓反應條件保持一致,多級霧化超聲進料讓碳源均勻進入爐內,實現可控的定向生長。大口徑碳化矽爐管提高單爐產能;立式爐體配合轉軸收料機構,產品和無定形碳都能在不停爐的情況下連續收集。
技術參數
2 個型號。
數據取自現行產品目錄,最終配置視物料與工藝而定。
| 型號 | 單管 | 多管 |
|---|---|---|
| 爐管材質 | 碳化矽 | 碳化矽 |
| 爐管尺寸 (mm) | Φ170×1700 | Φ200×1700 ×N |
| 加熱功率 (kW) | 65 | 按配置客製 |
| 加熱溫區 | 三段溫區,加熱區總長 1700 mm | 三段溫區,加熱區總長 1700 mm |
| 最高溫度 (°C) | 1300 | 1300 |
| 加熱方式 | 電阻式加熱 | 電阻式加熱 |
| 控溫方式 | S 型鉑銠熱電偶 | S 型鉑銠熱電偶 |
| 控溫精度 (°C) | ±1 | ±1 |
| 外形尺寸 長×寬×高 (mm) | 3000×1800×4500 | 按配置客製 |
設計
設計亮點。
- 01
不鏽鋼防爆外殼,局部水冷保護,內部保溫層加厚,能耗更低
- 02
撬裝式設計,安裝快、操作便捷
- 03
發熱體採用品牌元件,使用壽命更長
- 04
多級霧化超聲進料,進料均勻,有效控制定向生長,提高批次一致性
- 05
進氣預熱系統,氣體進入反應爐前達到適宜溫度,保障反應條件一致
- 06
整機設有真空系統介面,可快速置換爐內氛圍
- 07
安裝易燃易爆氣體偵測器,全天候監測周圍環境
- 08
超溫警報、斷偶保護、水壓不足、氣壓過大、氣體洩漏、漏電等多重安全聯鎖
物料
典型物料。
- 單壁奈米碳管製備
- 奈米電子元件
- 複合材料增強
- 儲能材料
- 觸媒及載體
- 感測器與場發射器
- 導電薄膜
- 生物奈米材料
常見問題
常見問題
單壁奈米碳管 CVD 生長設備能處理哪些物料?
單壁奈米碳管 CVD 生長設備用於單壁奈米碳管製備、奈米電子元件、複合材料增強、儲能材料、觸媒及載體、感測器與場發射器、導電薄膜、生物奈米材料。新物料是否適用,主要看固含量、黏度、硬度以及水性還是油性體系;把物料數據表和目標粒徑發給我們,億富工程師會評估。
單壁奈米碳管 CVD 生長設備該選哪個型號?
單壁奈米碳管 CVD 生長設備為單一配置,選型就是確認它是否匹配您的物料、目標粒徑和小時產量;億富會先在實驗室或中試設備上驗證,再確認生產機型。
單壁奈米碳管 CVD 生長設備有哪些主要設計特點?
單壁奈米碳管 CVD 生長設備的主要設計特點:不鏽鋼防爆外殼,局部水冷保護,內部保溫層加厚,能耗更低;撬裝式設計,安裝快、操作便捷;發熱體採用品牌元件,使用壽命更長;多級霧化超聲進料,進料均勻,有效控制定向生長,提高批次一致性。
單壁奈米碳管 CVD 生長設備
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