- 공정
- CVD
- 최고 온도
- 1300
°C - 로관
- Φ170-200
mm - 온도 정밀도
- ±1
°C - 회수
- 연속
단일벽 탄소나노튜브 성장을 위해 설계한 화학 기상 증착(CVD) 장비입니다. 독자적인 혼합 가스 설계와 가스 예열로 반응 조건을 일정하게 유지하고, 다단 초음파 분무 공급으로 탄소원을 고르게 투입해 방향성 성장을 제어합니다. 대구경 탄화규소 로관으로 회당 생산량을 높였고, 수직형 로와 회전축 회수 장치로 제품과 비정질 탄소를 로를 멈추지 않고 연속 회수합니다.
2개 모델.
수치는 현행 제품 카탈로그 기준이며, 최종 구성은 소재와 공정에 따라 달라집니다.
| 모델 | 단일관 | 다관 |
|---|---|---|
| 로관 재질 | 탄화규소 | 탄화규소 |
| 로관 크기 (mm) | Φ170×1700 | Φ200×1700 ×N |
| 가열 출력 (kW) | 65 | 구성에 따라 맞춤 |
| 가열 구역 | 3구역, 가열 길이 1700 mm | 3구역, 가열 길이 1700 mm |
| 최고 온도 (°C) | 1300 | 1300 |
| 가열 방식 | 저항 가열 | 저항 가열 |
| 온도 센서 | S형 백금-로듐 열전대 | S형 백금-로듐 열전대 |
| 온도 제어 정밀도 (°C) | ±1 | ±1 |
| 외형 치수 L×W×H (mm) | 3000×1800×4500 | 구성에 따라 맞춤 |
무엇이 들어 있나.
- 01
국부 수랭 방폭 스테인리스 외장과 두꺼운 단열층으로 에너지 절감
- 02
스키드형 구성으로 설치가 빠르고 조작이 쉬움
- 03
브랜드 발열체로 수명 향상
- 04
다단 초음파 분무 공급으로 균일 투입, 방향성 성장 제어, 배치 간 일관성 향상
- 05
반응로 투입 전 가스 예열로 반응 조건 일정 유지
- 06
진공 시스템 인터페이스로 로 내부 분위기를 빠르게 치환
- 07
가연성·폭발성 가스 감지기로 주변을 상시 감시
- 08
과온, 열전대 단선, 수압 부족, 가스압 과다, 가스 누설, 누전 다중 인터록
대표 소재.
- 단일벽 탄소나노튜브 제조
- 나노 전자 소자
- 복합재 보강
- 에너지 저장 소재
- 촉매 및 촉매 담체
- 센서 및 전계 방출 소자
- 전도성 필름
- 바이오 나노 소재
자주 묻는 질문
단일벽 탄소나노튜브 CVD 성장 장비은 어떤 소재를 처리할 수 있나요?
단일벽 탄소나노튜브 CVD 성장 장비은 단일벽 탄소나노튜브 제조, 나노 전자 소자, 복합재 보강, 에너지 저장 소재, 촉매 및 촉매 담체, 센서 및 전계 방출 소자, 전도성 필름, 바이오 나노 소재에 사용됩니다. 새로운 소재의 적합성은 고형분, 점도, 경도, 수계 또는 용제계 여부에 따라 달라집니다. 소재 데이터시트와 목표 입도를 보내 주시면 INFOR 엔지니어가 검토합니다.
단일벽 탄소나노튜브 CVD 성장 장비은 어떤 모델을 선택해야 하나요?
단일벽 탄소나노튜브 CVD 성장 장비은 단일 사양으로 공급되므로 선정은 소재, 목표 입도, 시간당 처리량에 맞는지 확인하는 과정입니다. INFOR는 실험실 또는 파일럿 장비로 검증한 뒤 양산 장비를 확정합니다.
단일벽 탄소나노튜브 CVD 성장 장비의 주요 설계 특징은 무엇인가요?
단일벽 탄소나노튜브 CVD 성장 장비의 주요 특징: 국부 수랭 방폭 스테인리스 외장과 두꺼운 단열층으로 에너지 절감; 스키드형 구성으로 설치가 빠르고 조작이 쉬움; 브랜드 발열체로 수명 향상; 다단 초음파 분무 공급으로 균일 투입, 방향성 성장 제어, 배치 간 일관성 향상.
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